赛晶发布i20系列1700V IGBT芯片组和ST封装IGBT模块

【TechWeb】1月19日消息,赛晶亚太半导体科技(浙江)有限公司(以下简称:赛晶)举行线上新产品发布会,正式推出最新研发成果:i20系列1700V IGBT芯片组、ST封装IGBT模块。

1700V是IGBT的主流电压等级之一,广泛应用于风力发电、无功补偿(SVG)、智能电网,以及中高压变频器等领域。

赛晶i20系列1700V IGBT芯片组,基于经典的沟槽栅及场截止芯片结构,并采用了窄台面、优化N-型增强层、短沟道、3D结构、优化P+层等多项行业前沿理念的优化设计,具有大功率、低损耗、高可靠性等卓越的芯片性能,代表了国内同类芯片技术的最高水平。

已经发布的首款IGBT模块(ED封装IGBT模块),目前已经向电动汽车、新能源发电、工控等领域的多家行业领先客户批量供货,并以卓越的性能和表现广受好评。本次发布会上,赛晶发布了第二款工业级模块产品- ST封装IGBT模块。该模块,采用行业标准外形设计(62mm),具有极佳的通用性,是工业级IGBT模块中的主流型号之一。特别是在光伏发电、低压变频器、UPS电源、电机驱动、数控机床等领域,ST封装IGBT模块具有广泛的市场需求。

ST封装IGBT模块,采用优化布局、三维信号传输等创新设计(已申请专利)实现了出色的模块性能:同类产品中最低的内部热阻、连接阻抗、内部杂散电感等。ST封装IGBT模块,是赛晶打造精品国产IGBT模块战略的最新成果。

本次发布会还介绍了正研发中的两款车规级SiC模块:HEEV封装和EVD封装SiC MOSFET模块。HEEV封装的创新设计,能最大限度的发挥SiC模块的出色性能。EVD封装将推出SiC MOSFET和Si IGBT两个版本,可以满足汽车市场不同需求。

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