爱普科技宣布其新一代硅电容(S-SiCap) Gen3已通过客户验证,具有超高电容密度和超薄特性,适用于高端手机和高性能计算芯片。该产品采用堆栈式电容技术,相较传统技术具有更高的电容密度、体积更小且稳定性更好。S-SiCap Gen3的特点包括2.5uF/mm2的电容值密度和低等效串联电感及阻抗,优化了SoC效能。(美通社)
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爱普科技宣布其新一代硅电容(S-SiCap) Gen3已通过客户验证,具有超高电容密度和超薄特性,适用于高端手机和高性能计算芯片。该产品采用堆栈式电容技术,相较传统技术具有更高的电容密度、体积更小且稳定性更好。S-SiCap Gen3的特点包括2.5uF/mm2的电容值密度和低等效串联电感及阻抗,优化了SoC效能。(美通社)
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