SK海力士开发出第六代10纳米DDR5 DRAM

SK海力士宣布,该公司已开发出业界首款采用1c节点的16Gb DDR5,这是第六代10nm工艺。预计将用于高性能数据中心的1c DDR5的运行速度比上一代提高了11%,达到8Gbps。随着电源效率的提高,SK海力士预计,在AI时代的进步导致功耗增加的情况下,采用1c DRAM将帮助数据中心将电力成本降低多达30%。SK海力士表示,将在年内批量生产1c DDR5,并从明年开始批量出货。(美通社)

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