9月3日，“2024开放数据中心峰会”在北京召开。三星电子副总裁兼闪存应用工程师团队负责人，沈昊俊在会上发表主题演讲。他介绍，为克服性能和容量的制约，采用并行搭载HBM和DRAM的方式正在逐渐成为行业趋势。三星半导体目前单芯片容量最大32Gb的DDR5内存产品，不久将可供应128GB/256GB等大容量封装规格；以及拥有目前三星最高随机写入性能400K IOPS的高性能8通道PCIe Gen5 SSD PM9D3a。三星基于QLC NAND技术的SSD产品BM1743未来可提供大容量规格计划。（美通社）
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