SK启方半导体第四代0.18微米BCD工艺问世

SK启方半导体(SK keyfoundry)宣布推出第四代0.18微米BCD工艺,性能较第三代提升约20%。该工艺提供高达40V的功率器件,并支持3.3V、5V和18V栅极输入电压,适用于服务器、笔记本电脑PMIC、DDR5内存PMIC、移动充电器、音频放大器和汽车栅极驱动器等。还提供MTP/OTP存储器和SRAM选项,符合AEC-Q100 Grade 1标准,可在125℃高温下稳定运行。厚IMD(金属间介质)选项使得汽车产品设计能够承受超过15,000V的电压。(美通社)

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