三星电子9月12日宣布其首款1太比特(Tb)四层单元(QLC)第九代V-NAND已正式开始量产。今年四月,三星启动了其首批三层单元(TLC)第九代V-NAND的量产,随后又实现了QLC第九代V-NAND的量产。三星计划扩大QLC第九代V-NAND的应用范围,从品牌消费类产品扩展到移动通用闪存、个人电脑和服务器SSD,为包括云服务提供商在内的客户提供服务。三星的通道孔蚀刻技术基于双堆栈架构实现当前业内最高单元层数,并通过多项创新技术提升产品性能和可靠性。(美通社)
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