三星电子宣布成功开发出其首款24Gb GDDR7 DRAM,具备高容量和极快的速率,将广泛应用于需要高性能存储解决方案的领域。24Gb GDDR7采用第五代10纳米级DRAM制程技术,在保持与前代产品相同封装尺寸下,将单元密度提高50%。GDDR7使用脉冲幅度调制(PAM3)信号技术,使其速度达到40Gbps,与前代产品相比提高25%。根据使用环境不同,性能可进一步提升至最高42.5Gbps。三星计划于明年年初实现商业化。(美通社)
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