由思坦科技与南方科技大学、香港科技大学、国家第三代半导体技术创新中心(苏州)联合攻关的重大成果——基于高功率 AlGaN深紫外Micro-LED显示的无掩膜光刻技术,于10月15日正式在国际顶尖权威学术期刊Nature Photonics上发表。该技术使用铝镓氮(AlGaN)材料制造出发光波长为270纳米的深紫外Micro-LED,这些LED像素尺寸仅为3微米,克服了传统光刻中的光功率限制,实现图案与光源集成。利用无掩膜光刻的方式,不仅解决了半导体制造中的关键技术瓶颈,还提供了一条制造成本更低、曝光效率更高的解决方案。(美通社)
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