SK海力士引入High NA EUV设备

SK海力士公司(SK hynix Inc.)宣布,已将业界首款量产型高数值孔径极紫外光刻机(High NA EUV)引进韩国利川M16工厂。自2021年首次将极紫外光刻技术应用于第四代10纳米工艺(1anm)以来,SK海力士持续扩大该技术在尖端DRAM量产中的应用范围。作为阿斯麦(ASML)高数值孔径EUV产品线的首款量产机型,TWINSCAN EXE:5200B可实现比现有EUV系统小1.7倍的晶体管刻蚀,并使晶体管密度提升2.9倍。其数值孔径从0.33提升至0.55,性能提升达40%。(美通社)

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