三星开始量产第8代V-NAND

品玩11月7日讯,三星宣布已开始量产三星产品中具有最高存储密度的1Tb(太字节)三比特单元(TLC)第8代V-NAND。基于最新NAND闪存标准Toggle DDR 5.0接口的三星第8代V-NAND,其输入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。

原创文章,作者:,如若转载,请注明出处:https://knewsmart.com/archives/89332

(0)
上一篇 2022年11月7日 上午9:57
下一篇 2022年11月7日 上午10:56

相关推荐

发表回复

登录后才能评论
联系我们
联系我们
分享本页
返回顶部