三星电子宣布,已成功开发出其首款采用12纳米(nm)级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM。这一技术突破是通过使用一种新的高介电(high-k)材料来增加电池电容,以及改进关键电路特性的专利设计技术而实现的。结合先进的多层极紫外(EUV)光刻技术,新款DRAM拥有三星最高的DDR5 Die密度(Die density),可使晶圆生产率提高20%。基于DDR5最新标准,三星12nm级DRAM将解锁高达7.2千兆每秒(Gbps)的速度。与上一代三星DRAM产品相比,12nm级DRAM的功耗降低约23%。(全球TMT)
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